+90(533) 652 66 86
nwsa.akademi@hotmail.com
Fırat Akademi Samsun-Türkiye
| Cover Download | Context Page Download |
Bu çalışmada, Zn katklı CuO ince filmleri hazırlanarak Al-p-Si/Zn katkılı CuO/Al fotodiyotları üretilmiştir. Üretilen fotodiyotların akım-voltaj (I–V) ölçümleri karanlıkta ve farklı aydınlatma şiddetleri altında alınmıştır. Al-p-Si/Zn katkılı CuO/Al fotodiyotları iyi bir doğrultma ve iyi bir fototepki özelliği göstermiştir. %0.1 Zn katkılı diyotunun en yüksek doğrultma oranına (1.73x104) ve en yüksek fototepki’ye (2.07x103) sahip olduğu saptanmıştır. Frekansa bağlı kapasite-voltaj ölçümleri oda sıcaklığında 10kHz ile 1MHz aralığında yapılmıştır. Diyotların kapasitansının, artan frekans ile azalması, arayüz yük dağılımından kaynaklanmaktadır. Anlık fotoakım ölçümleri, diyotların fotoiletkenlik davranış sergilediğini gösterir. Zn katkılı CuO filmlerin optiksel özellikleri de UV-VIS spektroskopisi ile incelenmiş ve optik enerji bant aralığı 1.89-2.15 eV aralığında bulunmuştur. Filmlerin morfolojik yüzey özellikleri atomik güç mikroskobu (AFM) ile araştırılmıştır. Filmlerin yüzey morfolojisi Zn katkısına bağlı olarak değişmiştir. Elde edilen sonuçlar, Al/p-Si/Zn:CuO/Al diyotlarının güneş izleme sistemlerinde fotosensör olarak kullanılabileceğini göstermiştir.
Keywords
Heteroeklem Diyot,
ZnO İnce Filmler,
Güneş Takip Sistemi,
Al ,
CuO,
In this study, Zn-doped CuO thin films were produced to prepare Al-p-Si/Zn-doped CuO/Al photodiodes. The current-voltage (I-V) measurements of the photodiodes produced are taken in the dark and under different illumination intensities. Al-p-Si/Zn-doped CuO/Al photodiodes showed good rectification and good photoresponse properties. %0.1 Zn doped diodes have the highest rectification ratio (1.73x104) and the highest photoresponse (2.07x103). Frequency-dependent capacity-voltage measurements were analyzed at room temperature between 10kHz and 1MHz. The capacitance of the diodes decreases with increasing frequency, the load distribution is due to the interface. Transient photocurrent measurements indicate that the diodes exhibit photoconductivity behavior. The optical properties of Zn-doped CuO films were investigated by UV-VIS spectroscopy and the optical energy band gap was found at 1.89-2.15 eV. The morphological surface properties of the films were investigated by atomic force microscopy (AFM). The surface morphology of the films varied depending on the Zn doped. The results obtained have shown that Al/p-Si/Zn:CuO/Al diodes can be used as photosensors in solar tracking systems.
Keywords
Heterojuntion Diode,
ZnO Thin Films,
Solar Tracking Systems,
Al ,
CuO,
|
Authors |
|
|||
|
|
||||
|
Supporting Institution |
: | |||
|
|
||||
|
Project Number |
: | |||
|
|
||||
|
Thanks |
: | |||